特許
J-GLOBAL ID：201703012510252507
LEDモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人北斗特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-518271
特許番号：特許第6145945号
出願日： 2013年05月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光拡散基板と、前記光拡散基板の一表面側に透明な第1接合部を介して接合されたLEDチップと、前記光拡散基板の前記一表面側で前記LEDチップを覆う色変換部と、前記光拡散基板の他表面側に配置された実装基板と、を備え、前記色変換部は、前記LEDチップから放射される光によって励起されて前記LEDチップとは異なる色の光を放射する蛍光体を含有する透明材料により形成され、前記実装基板は、電気絶縁性を有する絶縁部材と、前記絶縁部材に埋設され前記LEDチップが電気的に接続される配線パターンと、を備え、前記絶縁部材は、前記LEDチップから放射された光および前記蛍光体から放射された光を表面で拡散反射する拡散反射性を有し、
前記LEDチップは、n形半導体層、発光層およびp形半導体層を有するLED構造部を、前記発光層で発光する光に対して透明な基板の主表面側に備え、前記LED構造部よりも前記基板が前記光拡散基板側に近くなるように配置されており、
前記LEDチップは、厚み方向の一面側に第1電極と第2電極とが設けられたものであり、前記第1電極および前記第2電極の各々が前記配線パターンとワイヤを介して電気的に接続されており、
前記配線パターンの一部が、前記光拡散基板の前記実装基板側への垂直投影領域に設けられており、
前記光拡散基板は、厚み方向において重なる第1セラミック層と第2セラミック層とで構成され、前記第1セラミック層、前記第2セラミック層が、前記LEDチップ側から、この順に並んでおり、前記第1セラミック層と前記第2セラミック層とで、相対的に前記第1セラミック層の光の透過率が高く、前記第2セラミック層での光の散乱率及び反射率が高く、前記LEDチップから放射される光に対する前記光拡散基板での吸収率が前記実装基板での吸収率よりも低く、
前記光拡散基板の平面サイズが前記LEDチップの平面サイズよりも大きく、前記LEDチップの前記発光層から前記光拡散基板側へ放射された光の一部が前記光拡散基板内で拡散され、前記光拡散基板の前記一表面の周部から取り出され、
前記絶縁部材が、前記光拡散基板の前記他表面側に配置され、前記LEDチップから放射されて前記光拡散基板の前記一表面側から前記他表面側へ透過する光を前記絶縁部材のうち前記配線パターンを覆っている部分で拡散反射するように構成され、
前記光拡散基板は、前記絶縁部材に埋設されて側面と前記他表面とが前記絶縁部材に接しており、前記実装基板は、前記配線パターンが、前記光拡散基板の前記一表面上に設けられた部位を備え、前記配線パターンは、前記第1電極および前記第2電極に一端部がそれぞれ接合された各前記ワイヤの他端部と前記部位とが接合されており、前記色変換部は、前記光拡散基板の前記一表面側において前記LEDチップおよび各前記ワイヤを覆っていることを特徴とするLEDモジュール。
IPC (3件)：
H01L 33/58 ( 201 0.01)
, F21S 2/00 ( 201 6.01)
, F21V 9/16 ( 200 6.01)
H01L 33/58
, F21S 2/00 100
, F21V 9/16 100
