特許
J-GLOBAL ID:201703012981591085
赤外線検出器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
家入 健
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-208280
公開番号(公開出願番号):特開2014-063885
特許番号:特許第6102142号
出願日: 2012年09月21日
公開日(公表日): 2014年04月10日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成される第1のコンタクト層と、前記第1のコンタクト層上に形成される光吸収層と、前記光吸収層上に形成される第2のコンタクト層と、前記第1のコンタクト層と前記第2のコンタクト層との間に電圧を印加する電圧源と、を備える赤外線検出器であって、
前記光吸収層は、量子井戸層、結合層、量子ドット層の順、又は、前記量子ドット層、前記結合層、前記量子井戸層の順に積層された部分を、少なくとも1つ備え、
前記電圧源が前記第1のコンタクト層と前記第2のコンタクト層との間に印加する電圧の大きさによって、前記量子井戸層と前記量子ドット層とが結合モードを形成するか否かが決まり、
前記電圧源が、前記量子井戸層と前記量子ドット層との間で基底準位又は励起準位が一致するように、前記第1のコンタクト層と前記第2のコンタクト層との間に電圧を印加することにより、前記赤外線検出器は、2つの波長帯域に対して感度を有し、
前記電圧源が、前記量子井戸層と前記量子ドット層との間で前記基底準位及び前記励起準位が一致しないように、前記第1のコンタクト層と前記第2のコンタクト層との間に電圧を印加することにより、前記赤外線検出器は、1つの波長帯域に対して感度を有する赤外線検出器。
IPC (2件):
H01L 31/00 ( 200 6.01)
, H01L 31/10 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 31/00 B
, H01L 31/10 D
引用特許:
出願人引用 (6件)
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赤外線検出器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-217444
出願人:富士通株式会社
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光検知装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-185106
出願人:富士通株式会社
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光検出素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-217504
出願人:富士通株式会社
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光検知装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-131159
出願人:富士通株式会社
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-205293
出願人:防衛省技術研究本部長, 富士通株式会社
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特開平3-248479
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審査官引用 (6件)
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赤外線検出器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-217444
出願人:富士通株式会社
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光検知装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-185106
出願人:富士通株式会社
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光検出素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-217504
出願人:富士通株式会社
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光検知装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-131159
出願人:富士通株式会社
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-205293
出願人:防衛省技術研究本部長, 富士通株式会社
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特開平3-248479
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