特許

J-GLOBAL ID：201703013043890452

基板をボンディングする装置および方法

発明者： マークス ヴィンプリンガー ,  フィオレル ドラゴイ ,  クリストフ フレートゲン
出願人/特許権者： エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
代理人 (4件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  前川 純一 ,  二宮 浩康 ,  上島 類
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-517356
公開番号（公開出願番号）：特表2016-540367
出願日： 2013年09月25日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：

本発明は、第1基板(1)のボンディング面と、第2基板(14)のボンディング面との間の導電性直接接合を形成する装置および対応する方法に関しており、この装置は、周囲に対して気密に閉鎖可能でありかつ真空化することができる作業空間(22)を有しており、この作業空間(22)には、a)複数のボンディング面のうちの少なくとも1つを変化させる少なくとも1つのプラズマチャンバ(4)、および、ボンディング面をボンディングする少なくとも1つのボンディングチャンバ(5)、および/または、b)複数のボンディング面のうちの少なくとも1つを変化させ、かつ、ボンディング面をボンディングする少なくとも1つのコンビネーション型ボンディングプラズマチャンバ(20)が含まれている。

請求項（抜粋）：

第1基板(1)のボンディング面と、第2基板(14)のボンディング面との間の導電性直接接合を形成する装置において、 当該装置は、 ・ 周囲に対して気密に閉鎖可能でありかつ真空化可能な作業空間(22)を有しており、 ・ 前記作業空間(22)には、 a) 複数の前記ボンディング面のうちの少なくとも1つを変化させる少なくとも1つのプラズマチャンバ(4)、および、複数の前記ボンディング面をボンディングする少なくとも1つのボンディングチャンバ(5)、および/または、 b) 複数の前記ボンディング面のうちの少なくとも1つを変化させ、かつ、複数の前記ボンディング面をボンディングする少なくとも1つのコンビネーション型ボンディングプラズマチャンバ(20) が含まれている、 ことを特徴とする装置。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/677 ,  B65G 49/07 ,  B23K 20/00

FI (4件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/68 A ,  B65G49/07 ,  B23K20/00 310L

Fターム (20件)：

4E167AA18 ,  4E167BA02 ,  4E167CA05 ,  4E167CB01 ,  4E167CB04 ,  4E167DA05 ,  5F131AA02 ,  5F131AA34 ,  5F131BA04 ,  5F131BA54 ,  5F131BB04 ,  5F131DA32 ,  5F131DA33 ,  5F131DA37 ,  5F131DA42 ,  5F131EA03 ,  5F131EB11 ,  5F131EB81 ,  5F131EB82 ,  5F131EB84

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板表面処理方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-546411   出願人：エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレーターテクノロジーズ
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050655   出願人：シャープ株式会社
• はんだ上での酸化物の生成を抑制する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-238431   出願人：レイセオンカンパニー