特許
J-GLOBAL ID:201203060142921280

はんだ上での酸化物の生成を抑制する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-238431
公開番号(公開出願番号):特開2012-104817
出願日: 2011年10月31日
公開日(公表日): 2012年05月31日
要約:
【課題】はんだ表面の酸化物の生成を抑制できる手段を提供する。【解決手段】ある実施例では、システムは、堆積システム及びプラズマ/ボンディングシステムを有する。当該堆積システムは、多数の基板のうちの1つの基板表面にはんだを堆積する。当該プラズマ/ボンディングシステムは、前記基板をプラズマ洗浄するプラズマシステム、及び、前記基板のボンディングを行うボンディングシステムを有する。当該プラズマ/ボンディングシステムは、前記はんだの再酸化を少なくとも緩和する。ある実施例では、基板表面にはんだを堆積する工程、前記基板から金属酸化物を除去する工程、及び、前記基板の表目にキャップ層を堆積することで、前記はんだの再酸化を少なくとも緩和する工程を有する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
複数の基板のうち少なくとも1つの基板の表面にはんだを堆積する堆積システム;及び、 プラズマ/ボンディングシステム; を有するシステムであって、 前記プラズマ/ボンディングシステムは: 前記少なくとも1つの基板をプラズマ洗浄するプラズマシステム;及び、 前記複数の基板をボンディングするボンディングシステム; を有し、 前記ボンディングシステムは、前記はんだの再酸化を少なくとも抑制する、 システム。
IPC (3件):
H01L 21/60 ,  B23K 1/00 ,  B23K 1/20
FI (3件):
H01L21/60 311Q ,  B23K1/00 330E ,  B23K1/20 H
Fターム (2件):
5F044LL04 ,  5F044PP15
引用特許:
審査官引用 (12件)
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