特許
J-GLOBAL ID：201703013081125670

垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用CoFe系合金およびスパッタリングターゲット材

発明者：
澤田 俊之

澤田 俊之 について


出願人/特許権者：
山陽特殊製鋼株式会社

山陽特殊製鋼株式会社 について


代理人 (1件)： 椎名 彊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-210293
公開番号（公開出願番号）：特開2017-082330
出願日： 2016年10月27日
公開日（公表日）： 2017年05月18日
要約：
【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用CoFe系合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。【解決手段】 原子%で、Ge,Ru,Rh,Pd,Re,Os,Ir,Ptを1種以上、Sc,Y,ランタノイド(原子番号57〜71),Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,W,Bを1種以上、残部Co,Feおよび不可避的不純物からなり、下記の式(1)〜(4)を全て満たすことを特徴とした、垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金。(1)0.1%≦TCR≦10%(2)5%≦TAM≦25%(3)13%≦TCR/2+TAM+TNM≦25%(4)0.2≦Fe%/(Fe%+Co%)≦0.80【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
原子%で、 Ge,Ru,Rh,Pd,Re,Os,Ir,Ptを1種以上、Sc,Y,ランタノイド(原子番号57〜71),Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,W,Bを1種以上、残部Co,Feおよび不可避的不純物からなり、下記の式(1)〜(4)を全て満たすことを特徴とした、垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金。 (1)0.1%≦TCR≦10% (2)5%≦TAM≦25% (3)13%≦TCR/2+TAM+TNM≦25% (4)0.2≦Fe%/(Fe%+Co%)≦0.80 ただし、 TCR=Ge%+Ru%+Rh%+Pd%+Re%+Os%+Ir%+Pt% TAM=Sc%+Y%+ランタノイドの合計%+Ti%+Zr%+Hf%+V%+Nb%+Ta%+Mo%+W%+B%/2 Bは、非晶質促進効果が他の元素の約2倍のため1/2で扱う。 TNM=C%+Al%+Si%+P%+Cr%+Mn%+Ni%/3+Cu%/3+Zn+Ga%+Sn% Ni,Cuは飽和磁束密度の低下が他の元素の約1/3であるため1/3で扱う。
IPC (4件)：
C22C 45/02 ,  C22C 45/04 ,  G11B 5/851 ,  C23C 14/34
FI (4件)：
C22C45/02 A ,  C22C45/04 D ,  G11B5/851 ,  C23C14/34 A
Fターム (14件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA24 ,  4K029BA26 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  5D112AA04 ,  5D112BD03 ,  5D112BD08 ,  5D112FA04 ,  5D112FB02 ,  5D112FB04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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