特許
J-GLOBAL ID:201703013303456980

基板処理装置および基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 勝沼 宏仁 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  山ノ井 傑
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-118244
公開番号(公開出願番号):特開2017-005134
出願日: 2015年06月11日
公開日(公表日): 2017年01月05日
要約:
【課題】基板上のパターンの倒壊を防止しつつ、基板を容易に乾燥させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】一の実施形態によれば、基板処理方法は、パターンが設けられた基板の表面を洗浄およびリンスし、洗浄およびリンスされた前記基板の表面に、固化剤を含有する固化剤含有液を供給することを含む。さらに、前記方法は、前記基板の表面に前記固化剤を固体として析出させ、前記固体を分解させて気化させることで、前記基板の表面から前記固体を除去することを含む。さらに、前記固化剤は、アンモニウム塩を含有し、前記アンモニウム塩は、アンモニウムイオン、またはアンモニウムイオンの4個の水素原子のうちの1個以上が他の原子または原子団に置換された構造のイオンを含有する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
パターンが設けられた基板の表面を洗浄およびリンスし、 洗浄およびリンスされた前記基板の表面に、固化剤を含有する固化剤含有液を供給し、 前記基板の表面に前記固化剤を固体として析出させ、 前記固体を分解させて気化させることで、前記基板の表面から前記固体を除去する、 ことを含み、 前記固化剤は、アンモニウム塩を含有し、 前記アンモニウム塩は、アンモニウムイオン、またはアンモニウムイオンの4個の水素原子のうちの1個以上が他の原子または原子団に置換された構造のイオンを含有する、 基板処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/304 ,  G03F 7/40
FI (3件):
H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 651B ,  G03F7/40
Fターム (16件):
2H196AA25 ,  2H196GA17 ,  2H196HA02 ,  5F146LA03 ,  5F157AA09 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC03 ,  5F157AC26 ,  5F157BB11 ,  5F157BE57 ,  5F157BH18 ,  5F157CB01 ,  5F157CB11 ,  5F157DA21
引用特許:
審査官引用 (6件)
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