縦型JFET制限型シリコンカーバイドパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよび縦型JFET制限型シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを製造する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-044370
公開番号（公開出願番号）：特開2013-102245
特許番号：特許第6095417号
出願日： 2013年03月06日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型のシリコンカーバイドのドリフト層と、前記ドリフト層に隣接し、離間した、第2の導電型の複数のシリコンカーバイドウェル領域と、前記第1導電型のシリコンカーバイド制限領域とを備え、該制限領域は、前記複数のウェル領域と前記ドリフト層との間に配置され前記複数のウェル領域のそれぞれの底に隣接した第1の部分と、前記複数のウェル領域のそれぞれの側面に隣接した第2の部分とを含み、前記制限領域の第1の部分は前記制限領域の第2の部分よりも高いキャリア濃度を有し、前記制限領域の第2の部分が、前記複数のウェル領域の側面の間のJFETギャップ中の空乏層を縮小させるように、前記ドリフト層よりも高いキャリア濃度を有していることを特徴とするシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 29/12 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 652 E , H01L 29/78 652 J , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 658 E , H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-117363
特開平1-117363
特開昭59-098557

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