特許
J-GLOBAL ID:201703013810350566

光スイッチ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 真田 有 ,  山本 雅久
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-054929
公開番号(公開出願番号):特開2014-182185
特許番号:特許第6102381号
出願日: 2013年03月18日
公開日(公表日): 2014年09月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】 Si基板と、 前記Si基板上に設けられたSiO2クラッド層と、 前記SiO2クラッド層上に設けられ、マッハツェンダ干渉計を構成する第1分岐光導波路コア及び第2分岐光導波路コアと、 前記第1分岐光導波路コアに電流を注入するために前記第1分岐光導波路コアを挟んで両側に設けられた第1電流注入用電極とを備え、 前記第1分岐光導波路コアと前記第2分岐光導波路コアの間に設けられた前記第1電流注入用電極は、前記第1電流注入用電極を介して前記第1分岐光導波路コアに電流を注入することによって生じた熱が前記第2分岐光導波路コアの側に伝達されるように、前記第2分岐光導波路コアの上方まで延びており、 前記SiO2クラッド層は、3μm以上の厚さを有することを特徴とする光スイッチ。
IPC (2件):
G02F 1/313 ( 200 6.01) ,  G02F 1/025 ( 200 6.01)
FI (2件):
G02F 1/313 ,  G02F 1/025
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 半導体光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2010-150105   出願人:富士通株式会社
  • 光半導体装置とその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2011-178357   出願人:富士通株式会社
  • 光回路部品
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-026076   出願人:日本電気株式会社
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