特許
J-GLOBAL ID：201303059672780244

光半導体装置とその製造方法

発明者：
倉橋 輝雄

倉橋 輝雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-178357
公開番号（公開出願番号）：特開2013-041143
出願日： 2011年08月17日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：
【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。【解決手段】半導体基板1を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア4aを半導体基板1に形成する工程と、コア4aの一方の側面4xと他方の側面4yの各々に酸化防止膜22を形成する工程と、酸化防止膜22が形成された状態で、コア4aの両脇の半導体基板1の表面を熱酸化する工程と、コア4aの一方の側面4xの横の半導体基板1に第1の不純物領域を形成する工程と、コア4aの他方の側面4yの横の半導体基板1に第2の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
半導体基板を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコアを前記半導体基板に形成する工程と、 前記コアの一方の側面と他方の側面の各々に酸化防止膜を形成する工程と、 前記酸化防止膜が形成された状態で、前記コアの両脇の前記半導体基板の表面を熱酸化する工程と、 前記コアの前記一方の側面の横の前記半導体基板に第1の不純物領域を形成する工程と、 前記コアの前記他方の側面の横の前記半導体基板に第2の不純物領域を形成する工程と、 を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/01 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/12
FI (4件)：
G02F1/01 C ,  G02B6/12 A ,  G02B6/12 M ,  G02B6/12 J
Fターム (33件)：
2H079AA05 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079DA25 ,  2H079EA05 ,  2H079EB05 ,  2H079HA11 ,  2H079JA05 ,  2H079JA07 ,  2H147AB02 ,  2H147AB11 ,  2H147AC01 ,  2H147AC02 ,  2H147BE01 ,  2H147EA02D ,  2H147EA10D ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA14D ,  2H147EA34D ,  2H147EA36A ,  2H147FA03 ,  2H147FA25 ,  2H147FA27 ,  2H147FC02 ,  2H147FC05 ,  2H147FF04 ,  2H147FF08
引用特許：
審査官引用 (7件)
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