特許
J-GLOBAL ID：201703014065091460

モノリシックに集積された三電極CMUT装置

発明者：
ファン レンス アントニア コルネリア

ファン レンス アントニア コルネリア について

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グローンランド アルフォンス ウォウター

グローンランド アルフォンス ウォウター について


出願人/特許権者：
コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ

コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ について


代理人 (1件)： 笛田 秀仙
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-536176
公開番号（公開出願番号）：特表2017-508315
出願日： 2014年12月04日
公開日（公表日）： 2017年03月23日
要約：
容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ(CMUT)セルは、3つの電極、すなわち、セル膜に結合された第1の電極、前記第1の電極に対向するようにセルフロア内に埋め込まれ、気体又は真空キャビティにより前記第1の電極から分離された第2の電極、及び前記キャビティ側において前記第2の電極に対向する第3の電極を有し、誘電層が、前記第2の電極と前記第3の電極との間に挟まれ、前記第2の電極と前記第3の電極との間の容量関係を作成する。三電極CMUTセルは、超音波トランスデューサに2つの能動的に駆動(制御)される電極を提供する。
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板に対向し、その間にギャップが存在する、セル膜と、 前記セル膜に結合された第1の電極と、 前記第1の電極に対向するようにセルフロア内に埋め込まれ、気体又は真空キャビティにより前記第1の電極から分離され、前記セルフロアが前記基板の上面を有する、第2の電極と、 第3の電極と、 を有する容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセルにおいて、 前記第3の電極が、前記第1又は第2の電極と容量的に結合され、容量結合が、前記容量的に結合された電極と直接的に接触し、前記容量的に結合された電極の間に挟まれた誘電層により実現される、 容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセル。
IPC (3件)：
H04R 19/00 ,  B81B 3/00 ,  A61B 8/14
FI (3件)：
H04R19/00 330 ,  B81B3/00 ,  A61B8/14
Fターム (24件)：
3C081AA13 ,  3C081BA22 ,  3C081BA30 ,  3C081BA45 ,  3C081BA48 ,  3C081BA53 ,  3C081CA03 ,  3C081CA28 ,  3C081CA29 ,  3C081DA03 ,  3C081DA06 ,  3C081DA27 ,  3C081DA30 ,  3C081EA21 ,  3C081EA39 ,  4C601GB06 ,  4C601GB16 ,  4C601GB19 ,  4C601GB41 ,  5D019AA21 ,  5D019DD01 ,  5D019FF04 ,  5D019GG11 ,  5D019HH01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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