特許
J-GLOBAL ID：201703014098387900

レジストパターン形成方法及び保護膜形成用組成物

発明者：
西野 晃太

西野 晃太 について

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川上 峰規

川上 峰規 について

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白谷 宗大

白谷 宗大 について

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星子 賢二

星子 賢二 について

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犬飼 晃司

犬飼 晃司 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (1件)： 天野 一規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-220687
公開番号（公開出願番号）：特開2017-045065
出願日： 2016年11月11日
公開日（公表日）： 2017年03月02日
要約：
【課題】ナノエッジラフネスを改善することができ、感度も十分満足すると共に、アウトガスの発生も抑制可能な新規のレジストパターン形成方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、感放射線性樹脂組成物でレジスト膜を形成する工程、保護膜形成用組成物で上記レジスト膜上に保護膜を積層する工程、上記保護膜が積層されたレジスト膜を露光する工程、及び上記露光されたレジスト膜を現像する工程を有し、上記保護膜形成用組成物が、[A]下記式(i-2)で表される構造単位を有する重合体、及び[B]有機溶媒を含有するレジストパターン形成方法である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
感放射線性樹脂組成物でレジスト膜を形成する工程、 保護膜形成用組成物で上記レジスト膜上に保護膜を積層する工程、 上記保護膜が積層されたレジスト膜を露光する工程、及び 上記露光されたレジスト膜を現像する工程 を有し、 上記保護膜形成用組成物が、 [A]下記式(i-2)で表される構造単位を有する重合体、及び [B]有機溶媒 を含有するレジストパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/11 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027 ,  C08F 22/40
FI (6件)：
G03F7/11 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/20 501 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 565 ,  C08F22/40
Fターム (54件)：
2H197CA09 ,  2H197CA10 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197GA01 ,  2H197GA30 ,  2H197HA03 ,  2H197HA05 ,  2H197JA22 ,  2H197JA30 ,  2H225AF24P ,  2H225AF44P ,  2H225AF48P ,  2H225AF53P ,  2H225AF68P ,  2H225AF71P ,  2H225AF99P ,  2H225AH03 ,  2H225AH15 ,  2H225AH19 ,  2H225AH33 ,  2H225AJ04 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ45 ,  2H225AJ48 ,  2H225AJ54 ,  2H225AJ59 ,  2H225AM12N ,  2H225AM16N ,  2H225AM22N ,  2H225AM39N ,  2H225AM91N ,  2H225AM93N ,  2H225AM94N ,  2H225AM99N ,  2H225AN11N ,  2H225AN31N ,  2H225AN39P ,  2H225AN57P ,  2H225AN86P ,  2H225BA01N ,  2H225BA01P ,  2H225BA26P ,  2H225CA12 ,  2H225CB08 ,  2H225CB18 ,  2H225CC03 ,  2H225CC15 ,  4J100AM35P ,  4J100BA03P ,  4J100BC43P ,  4J100JA38 ,  5F146JA27 ,  5F146PA07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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