特許

J-GLOBAL ID：201703014183307710

紫外線発光素子

発明者： 高野 隆好 ,  美濃 卓哉 ,  阪井 淳 ,  野口 憲路 ,  平山 秀樹
出願人/特許権者： パナソニック株式会社 ,  国立研究開発法人理化学研究所
代理人 (4件)： 西川 惠清 ,  坂口 武 ,  北出 英敏 ,  仲石 晴樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-016987
公開番号（公開出願番号）：特開2017-139252
出願日： 2016年02月01日
公開日（公表日）： 2017年08月10日
要約：

【課題】長寿命化を図ることが可能な紫外線発光素子を提供する。【解決手段】紫外線発光素子10は、n型AlGaN層3、発光層4、第1のp型AlGaN層5及び第2のp型AlGaN層6の順に並んでいる積層体20と、負電極8と、正電極9と、を備える。第1のp型AlGaN層5は、第1のAlGaN層(井戸層41)よりもAlの組成比が大きい。第2のp型AlGaN層6は、第1のAlGaN層(井戸層41)よりもAlの組成比が大きい。第1のp型AlGaN層5及び第2のp型AlGaN層6は、Mgを含有している。第2のp型AlGaN層6は、第1のp型AlGaN層5よりもMgの最大濃度が高い。第2のp型AlGaN層6は、第2のp型AlGaN層6の厚さ方向において、第1のp型AlGaN層5からの距離が長くなるにつれてMgの濃度が増加する領域を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型AlGaN層、発光層、第1のp型AlGaN層及び第2のp型AlGaN層の順に並んでいる積層体と、 前記n型AlGaNの前記発光層側の表面において前記発光層で覆われていない部位に直接設けられている負電極と、 前記第2のp型AlGaN層の表面上に直接設けられている正電極と、 を備え、 前記発光層は、複数の障壁層と複数の井戸層とが交互に並んでいる多重量子井戸構造を有し、 前記複数の井戸層の各々は、第1のAlGaN層により構成され、 前記複数の障壁層の各々は、前記第1のAlGaN層よりもAlの組成比が大きな第2のAlGaN層により構成され、 前記n型AlGaN層は、前記第1のAlGaN層よりもAlの組成比が大きく、 前記第1のp型AlGaN層は、前記第1のAlGaN層よりもAlの組成比が大きく、 前記第2のp型AlGaN層は、前記第1のAlGaN層よりもAlの組成比が大きく、 前記第1のp型AlGaN層及び前記第2のp型AlGaN層は、Mgを含有しており、 前記第2のp型AlGaN層は、前記第1のp型AlGaN層よりもMgの最大濃度が高く、 前記第2のp型AlGaN層は、前記第2のp型AlGaN層の厚さ方向において、前記第1のp型AlGaN層からの距離が長くなるにつれてMgの濃度が増加する領域を含む、 ことを特徴とする紫外線発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/32

FI (1件)：

H01L33/00 186

Fターム (11件)：

5F241AA43 ,  5F241AA44 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA22 ,  5F241CA40 ,  5F241CA57 ,  5F241CA58 ,  5F241CA65 ,  5F241CA74 ,  5F241CB11

引用特許：

出願人引用 (3件)

• III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-193948   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体紫外線発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-049996   出願人：創光科学株式会社
• 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-197489   出願人：株式会社東芝