特許
J-GLOBAL ID：201303033106083421
III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-193948
公開番号（公開出願番号）：特開2013-055293
出願日： 2011年09月06日
公開日（公表日）： 2013年03月21日
要約：
【課題】pクラッド層の特性悪化を防止すること。【解決手段】発光層14上に、800〜950°CでMgドープAlGaInNからなるpクラッド層15を形成した(図2(b))。次に、pクラッド層15上に、pクラッド層15形成時と同じ温度でノンドープGaNからなる厚さ5〜100Åのキャップ層16を形成した(図2(c))。キャップ層16にはMg濃度5×1019/cm3 以下の範囲でMgをドープしてもよい。次に、温度を次工程のpコンタクト層17の成長温度まで昇温した。この昇温時において、キャップ層16が形成されているため、pクラッド層15表面が露出しておらず、Mgの過剰ドープや不純物の混入が抑制される。そのため、pクラッド層15の特性悪化が防止される。次に、キャップ層16上に950〜1100°Cでpコンタクト層17を形成した(図2(d))。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
pクラッド層と、前記pクラッド層上に位置するpコンタクト層とを有したIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記pクラッド層を第1の成長温度で形成する工程と、
前記pクラッド層上に、前記第1の成長温度であって、ノンドープもしくはMg濃度が5×1019/cm3 以下となる範囲でMgをドープしてIII 族窒化物半導体からなるキャップ層を形成する工程と、
前記第1の成長温度よりも高い第2の成長温度まで昇温する工程と、
前記キャップ層上に、前記第2の成長温度で前記pコンタクト層を形成する工程と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F041AA24
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA58
, 5F041CA65
, 5F041CA88
, 5F141AA24
, 5F141AA40
, 5F141CA04
, 5F141CA40
, 5F141CA49
, 5F141CA57
, 5F141CA58
, 5F141CA65
, 5F141CA88
