特許
J-GLOBAL ID：201103058339071928

窒化物半導体紫外線発光素子

発明者：
平野 光

平野 光 について

, 
一本松 正道

一本松 正道 について


出願人/特許権者：
創光科学株式会社

創光科学株式会社 について


代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-049996
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187591
出願日： 2010年03月08日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】 In組成変調効果に頼らず活性層に発生する内部電界を緩和して発光効率の低下を抑制した窒化物半導体紫外線発光素子を提供する。【解決手段】 基板面或いは前記基板面上に形成された1層以上のAlGaN系半導体層からなるテンプレート5上に、少なくとも、n型AlGaN系半導体からなるn型クラッド層6、1層以上の量子井戸構造のAlGaN系半導体の活性層7、及び、p型AlGaN系半導体からなるp型クラッド層9が、順番に配置されており、活性層7の少なくとも1層の井戸層7b内部に、p型クラッド層9側からn型クラッド層6に向けてバンドギャップエネルギが減少するようにAl組成比に対する組成変調が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板面或いは前記基板面上に形成された1層以上のAlGaN系半導体層からなるテンプレート上に、少なくとも、n型AlGaN系半導体からなるn型クラッド層、単一または多重量子井戸構造のAlGaN系半導体の活性層、及び、p型AlGaN系半導体からなるp型クラッド層が、順番に配置されており、 前記活性層の少なくとも1層の井戸層内部に、前記p型クラッド層側から前記n型クラッド層に向けてバンドギャップエネルギが減少するようにAl組成比に対する組成変調が設けられていることを特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L33/00 186 ,  H01S5/343 610
Fターム (13件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA60 ,  5F173AA01 ,  5F173AF06 ,  5F173AF15 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AR23 ,  5F173AR81
引用特許：
審査官引用 (5件)
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