特許
J-GLOBAL ID：201703014183806377

リチウムマンガン酸化物層を形成するための方法

発明者：
ヌア・ラビエド

ヌア・ラビエド について

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マリーナ・ユーリエヴナ

マリーナ・ユーリエヴナ について

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フィリップ・フェレーケン

フィリップ・フェレーケン について


出願人/特許権者：
アイメック・ヴェーゼットウェー

アイメック・ヴェーゼットウェー について

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カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァン

カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァン について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-196980
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135095
出願日： 2016年10月05日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
要約：
【課題】多孔質の、電気化学的に活性なリチウムマンガン酸化物の層を、低温で基板上に形成するための手段の提供。【解決手段】多孔質の、電気化学的に活性なリチウムマンガン酸化物層を基板上に形成するための方法であって、前記基板上に多孔質マンガン酸化物層を堆積させる工程101と、前記多孔質マンガン酸化物層上にLi含有層を提供する工程102と、その後、200°C〜400°Cの範囲の温度でアニール工程103を行い、これにより前記多孔質マンガン酸化物層と前記Li含有層との間の固相反応を誘起する工程と、を含むリチウムマンガン酸化物層を形成する手段。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
多孔質の、電気化学的に活性なリチウムマンガン酸化物(LixMnyOz)層を基板上に形成するための方法であって、 前記基板上に多孔質マンガン酸化物層を堆積させる工程と、 前記多孔質マンガン酸化物層上にLi含有層を提供する工程と、 その後、200°C〜400°Cの範囲の温度でアニール工程を行い、これにより前記多孔質マンガン酸化物層と前記Li含有層との間の固相反応を誘起する工程と、を含む方法。
IPC (5件)：
H01M 4/139 ,  H01L 21/28 ,  H01M 4/505 ,  H01M 4/131 ,  H01M 4/78
FI (5件)：
H01M4/1391 ,  H01L21/28 301R ,  H01M4/505 ,  H01M4/131 ,  H01M4/78 A
Fターム (33件)：
4M104AA01 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104DD88 ,  4M104GG20 ,  4M104HH08 ,  5H017AA03 ,  5H017AS02 ,  5H017CC03 ,  5H017DD01 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA09 ,  5H050CB02 ,  5H050CB12 ,  5H050DA04 ,  5H050FA09 ,  5H050FA12 ,  5H050FA15 ,  5H050GA02 ,  5H050GA22 ,  5H050GA24 ,  5H050HA02 ,  5H050HA06 ,  5H050HA09 ,  5H050HA12 ,  5H050HA14
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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