特許

J-GLOBAL ID：201703014278713198

電界効果トランジスタ

発明者： 川江 健 ,  広瀬 宗一郎 ,  小林 拓平 ,  中嶋 宇史
出願人/特許権者： 国立大学法人金沢大学
代理人 (1件)： 大谷 嘉一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-093772
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213280
出願日： 2015年05月01日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：

【課題】優れたキャリア制御特性を有する電界効果トランジスタの提供をする。【解決手段】トランジスタ10は、シリコン等の基板11の上にPtの電極12を形成し、その上に75/25mol%のVDF/TrFE(フッ化ビニリデン-三フッ化エチレン共重合体)をスピンコート法により塗布後に120°Cにて乾燥させ、膜厚150nmの強誘電体13の薄膜を形成する。二次元物質14としてMoS2(二硫化モリブデン)を薄片化し、これをテープを用いて強誘電体13の上に転写する。その後にフォトリソグラフィにより部分的にAuからなるドレイン電極15とソース電極16を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

二次元物質からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (9件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/24 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L27/10 444B ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/24 ,  H01L27/10 449 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T

Fターム (18件)：

5F083FR05 ,  5F083GA30 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083PR23 ,  5F101BA62 ,  5F101BB02 ,  5F101BD12 ,  5F101BE07 ,  5F110AA01 ,  5F110CC07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG04 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法、強誘電体素子の製造方法および電子機器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-145892   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置、超伝導装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-192900   出願人：株式会社東芝
• スパッタリングターゲット、トランジスタ、焼結体の製造方法、トランジスタの製造方法、電子部品または電気機器、液晶表示素子、有機ELディスプレイ用パネル、太陽電池、半導体素子および発光ダイオード素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-207433   出願人：エスピーエムエージーセミコンダクターパーツアンドマテリアル