特許
J-GLOBAL ID：201703014997600958
複合基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-197642
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229544
特許番号：特許第6110095号
出願日： 2012年09月07日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁性を有する単結晶からなる支持基板と、
該支持基板の上面に重ね合わされた単結晶からなる半導体層と、
前記支持基板と前記半導体層との間に位置した、該半導体層を構成する元素を含む酸化物を主成分とし、該半導体層に比べて結晶性の低い中間層とを備え、
前記中間層は、前記支持基板および前記半導体層を構成する主成分の元素以外の金属元素を含み、該金属元素の濃度が、厚み方向において前記支持基板側から前記半導体層側に向かうにつれて減少している複合基板。
IPC (4件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/322 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 27/12 B
, H01L 27/12 S
, H01L 21/02 B
, H01L 21/322 Y
, H01L 21/20
