特許

J-GLOBAL ID：201703015046998192

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  佐藤 裕平 ,  佐藤 恵司 ,  丸山 哲紀 ,  肥塚 純一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-051330
公開番号（公開出願番号）：特開2012-209546
特許番号：特許第6046358号
出願日： 2012年03月08日
公開日（公表日）： 2012年10月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 酸化シリコン膜上に接して島状の酸化物半導体膜を形成し、 前記島状の酸化物半導体膜上に、スパッタ法により酸化アルミニウム膜を形成し、 前記酸化アルミニウム膜を形成後、酸素を含むガスを用いてプラズマ処理を行うことで、前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、 前記プラズマ処理の後に、第1の熱処理を行い、 前記酸化アルミニウム膜は、前記酸化シリコン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (14件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  G09F 9/00 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H05B 33/10 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/14 ( 200 6.01)

FI (13件)：

H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 619 A ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/14 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-215560   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-251914   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよび表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-174469   出願人：ソニー株式会社
• トランジスタ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-045016   出願人：大日本印刷株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-239783   出願人：ソニー株式会社