特許

J-GLOBAL ID：201703015171218042

水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ

発明者： 川江 健 ,  徳田 規夫 ,  古市 浩幹 ,  柄谷 涼太 ,  中嶋 宇史
出願人/特許権者： 国立大学法人金沢大学
代理人 (1件)： 大谷 嘉一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-138068
公開番号（公開出願番号）：特開2017-022240
出願日： 2015年07月09日
公開日（公表日）： 2017年01月26日
要約：

【課題】高い表面キャリア密度を有する水素終端表面からなるダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタを提供をする。【解決手段】水素終端ダイヤモンドの表面伝導層からなるチャネルに、強誘電体からなるゲート絶縁膜を組み合せる。また、強誘電体は、水素終端ダイヤモンド表面に300°C以下の低温で薄膜形成され、フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとの共重合体薄膜である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水素終端ダイヤモンドの表面伝導層からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (5件)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E

Fターム (11件)：

5F110AA08 ,  5F110CC01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-217679   出願人：東京瓦斯株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-035794   出願人：三菱電機株式会社
• 強誘電性PZT材料、キャパシタ、マイクロ電子デバイス構造体、及びFeRAMデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-125829   出願人：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド