特許
J-GLOBAL ID：201703015667057324
電力用半導体装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-089731
公開番号（公開出願番号）：特開2017-199809
出願日： 2016年04月27日
公開日（公表日）： 2017年11月02日
要約：
【課題】電力用半導体素子における電極の接続品質を従来に比べて向上可能な電力用半導体装置を提供する。【解決手段】電力用半導体素子3,20と、絶縁層、近位導体層53及び遠位導体層52を有するプリント基板50とを備え、プリント基板は、絶縁層の近位面に近位導体層を、遠位面に遠位導体層を有し、電力用半導体素子における主電極と遠位導体層とを第1はんだ42,44で接合し、電力用半導体素子における信号電極と近位導体層とを第2はんだ43で接合している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電力用半導体素子と、
上記電力用半導体素子に対向して位置し、絶縁層、近位導体層及び遠位導体層を有する絶縁板材と、を備え、
上記絶縁層は、厚み方向において互いに対向する、上記電力用半導体素子に近位の近位面及び上記電力用半導体素子に遠位の遠位面を有し、
上記絶縁板材は、上記近位面に上記近位導体層を、上記遠位面に上記遠位導体層を有し、
上記電力用半導体素子における主電極と上記遠位導体層とを第1はんだで接合しており、
上記電力用半導体素子における信号電極と、上記近位導体層とを第2はんだで接合している、
ことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
前のページに戻る
