特許
J-GLOBAL ID：201703015674199207
セラミックス/アルミニウム接合体、パワーモジュール用基板、及び、パワーモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
志賀 正武
, 寺本 光生
, 松沼 泰史
, 細川 文広
, 大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-218892
公開番号（公開出願番号）：特開2017-088439
出願日： 2015年11月06日
公開日（公表日）： 2017年05月25日
要約：
【課題】セラミックス部材とアルミニウム部材とが確実に接合され、冷熱サイクル負荷時の接合信頼性に優れるとともにセラミックス部材の割れの発生を抑制することができるセラミックス/アルミニウム接合体を提供する。【解決手段】アルミニウム部材12のうちセラミックス部材11との接合界面から厚さ方向に2μmの範囲内に、スピネル結晶構造を有するMg含有酸化物36が分散しており、アルミニウム部材12のうちセラミックス部材11との接合界面近傍領域にMg,Si,Oが偏析した偏析部31を有し、偏析部31と接合界面30からアルミニウム部材12側に10μm離間した位置とのMg,Si,Oの質量比が、それぞれ所定の範囲内とされ、接合界面30からアルミニウム部材12側に10μm離間した位置におけるMg量が0.8mass%以下とされている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
AlNからなるセラミックス部材と、アルミニウム部材とが接合されてなるセラミックス/アルミニウム接合体であって、
前記アルミニウム部材のうち前記セラミックス部材との接合界面から厚さ方向に2μmの範囲内に、スピネル結晶構造を有するMg含有酸化物が分散しており、
前記アルミニウム部材のうち前記セラミックス部材との接合界面近傍領域に、Mg,Si,Oが偏析した偏析部を有し、
前記偏析部におけるMg量[Mg]S,Si量[Si]S,O量[O]Sと、接合界面から前記アルミニウム部材側に10μm離間した位置におけるMg量[Mg]I,Si量[Si]I,O量[O]I、との比が、それぞれ、
1<[Mg]S/[Mg]I≦15,
1<[Si]S/[Si]I≦25,
1<[O]S/[O]I≦25
の範囲内とされるとともに、接合界面から前記アルミニウム部材側に10μm離間した位置におけるMg量[Mg]Iが0.8mass%以下とされていることを特徴とするセラミックス/アルミニウム接合体。
IPC (3件)：
C04B 37/02
, H01L 23/12
, H01L 23/36
C04B37/02 B
, H01L23/12 J
, H01L23/36 C
4G026BA16
, 4G026BB27
, 4G026BE04
, 4G026BF20
, 4G026BG02
, 4G026BG22
, 4G026BG23
, 4G026BH07
, 5F136BB04
, 5F136BC02
, 5F136DA27
, 5F136FA02
, 5F136FA12
, 5F136FA41
, 5F136FA75
, 5F136FA85
, 5F136GA02
