特許

J-GLOBAL ID：201703015751010562

光起電力装置

発明者： 柳和宏 ,  大島侑己 ,  北村典雅 ,  中村昌稔 ,  菅原光成 ,  河合英輝
出願人/特許権者： 公立大学法人首都大学東京
代理人 (1件)： 松山 裕一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-024732
公開番号（公開出願番号）：特開2017-143209
出願日： 2016年02月12日
公開日（公表日）： 2017年08月17日
要約：

【課題】高効率な光起電力発生を実現できる光起電力装置を提供すること。【解決手段】カーボンナノチューブ薄膜(CNT)を具備してなる光起電力装置であって、上記カーボンナノチューブ薄膜が、第1のゼーベック係数S1を有する第1のカーボンナノチューブ材料と、第1のカーボンナノチューブ材料に接合された、該第1のカーボンナノチューブ材料とは異なる第2のゼーベック係数S2を有する第2のカーボンナノチューブ材料とを具備し、上記の第1のカーボンナノチューブ材料と第2のカーボンナノチューブ材料とを直接又は間接的に接合した部分が光起電力発生部である光起電力装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

カーボンナノチューブ薄膜(CNT)を具備してなる光起電力装置であって、 上記カーボンナノチューブ薄膜が、第1のゼーベック係数S1を有する第1のカーボンナノチューブ材料と、第1のカーボンナノチューブ材料に接合された、該第1のカーボンナノチューブ材料とは異なる第2のゼーベック係数S2を有する第2のカーボンナノチューブ材料とを具備し、 上記の第1のカーボンナノチューブ材料と第2のカーボンナノチューブ材料とを直接又は間接的に接合した部分が光起電力発生部である光起電力装置。

IPC (4件)：

H01L 31/035 ,  B82Y 30/00 ,  C01B 32/152 ,  C01B 32/158

FI (3件)：

H01L31/04 342Z ,  B82Y30/00 ,  C01B31/02 101F

Fターム (15件)：

4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146AC30B ,  4G146AD28 ,  4G146CA03 ,  4G146CA11 ,  4G146CA15 ,  4G146CB10 ,  4G146CB12 ,  4G146CB17 ,  4G146CB35 ,  4G146CB36 ,  5F151FA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子の製造方法、半導体素子の製造デバイス、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-135553   出願人：公立大学法人首都大学東京

引用文献：

審査官引用 (5件)

• "Carbon Nanotube Terahertz Detector"
• "Fabrication of thermoelectric devices using precisely Fermi level-tuned semiconducting single-wall
• "Photothermoelectric p-n Junction Photodetector with Intrinsic Broadband Polarimetry Based on Macros
• "Optical and thermal response of single-walled carbon nanotube-copper sulfide nanoparticle hybrid na
• 「電気二重層キャリア注入により極性制御された半導体型単層カーボンナノチューブ熱電デバイスの作製」