特許

J-GLOBAL ID：201703015911318348

カーボン膜の成膜方法および成膜装置

発明者： 清水 亮 ,  北村 昌幸 ,  渡邉 要介 ,  柿本 明修
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-103494
公開番号（公開出願番号）：特開2017-212294
出願日： 2016年05月24日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
要約：

【課題】下地へのダメージを抑制することができ、密着性が良好なカーボン膜の成膜方法および成膜装置を提供する。【解決手段】被処理体上にカーボン膜を成膜するカーボン膜の成膜方法は、被処理体を処理室内に搬入する工程と、処理室内に、炭化水素系カーボンソースガス、および前記炭化水素系カーボンソースガスの熱分解温度を降下させる熱分解温度降下ガスを供給し、前記炭化水素系カーボンソースガスを、その熱分解温度よりも低い温度に加熱して熱分解させ、熱CVDにより被処理体上にカーボン膜を成膜する工程とを有し、熱分解温度降下ガスとして、ヨウ素含有ガスを用いる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

被処理体上にカーボン膜を成膜するカーボン膜の成膜方法であって、 被処理体を処理室内に搬入する工程と、 前記処理室内に、炭化水素系カーボンソースガス、および前記炭化水素系カーボンソースガスの熱分解温度を降下させる熱分解温度降下ガスを供給し、前記炭化水素系カーボンソースガスを、その熱分解温度よりも低い温度に加熱して熱分解させ、熱CVDにより被処理体上にカーボン膜を成膜する工程と を有し、 前記熱分解温度降下ガスとして、ヨウ素含有ガスを用いることを特徴とするカーボン膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/27

FI (3件)：

H01L21/314 A ,  H01L21/31 B ,  C23C16/27

Fターム (44件)：

4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB07 ,  5F045AC04 ,  5F045AC07 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045BB19 ,  5F045CB06 ,  5F045DC51 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE13 ,  5F045EF02 ,  5F045EK06 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF38 ,  5F058BJ07

引用特許：

審査官引用 (6件)

• カーボン膜の成膜方法および成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-101484   出願人：東京エレクトロン株式会社
• メタルハライドランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-051514   出願人：ハリソン東芝ライティング株式会社
• 高圧放電ランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-323874   出願人：ソニー株式会社
• 選択成長方法および基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-220157   出願人：東京エレクトロン株式会社
• アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-094417   出願人：東京エレクトロン株式会社
• カーボン膜上への酸化物膜の成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-290405   出願人：東京エレクトロン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• On the growth mechanism of UV laser deposited a-C:H from CH2I2 at room temperature