カーボン膜上への酸化物膜の成膜方法及び成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-290405
公開番号（公開出願番号）：特開2012-138492
出願日： 2010年12月27日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：

【課題】カーボン膜上に酸化物膜を形成しても、カーボン膜の膜厚減少を抑制することが可能な、カーボン膜上への酸化物膜の成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体上にカーボン膜を形成する工程(ステップ1)と、前記カーボン膜上に被酸化体層を形成する工程(ステップ2)と、前記被酸化体層を酸化させながら、該被酸化体層上に酸化物膜を形成する工程(ステップ3)と、を具備する。前記ステップ2において、前記カーボン膜上にアミノシラン系ガスを供給しながら被処理体を加熱してシード層を形成し、続いて、前記シード層上にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給しながら被処理体を加熱する事で、前記被酸化体層を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(1) 被処理体上にカーボン膜を形成する工程と、 (2) 前記カーボン膜上に被酸化体層を形成する工程と、 (3) 前記被酸化体層を酸化させながら、前記被酸化体層上に酸化物膜を形成する工程と、を具備することを特徴とするカーボン膜上への酸化物膜の成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , C23C 16/40 , C23C 16/26

FI (6件)：

H01L21/316 C , H01L21/316 P , H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/40 , C23C16/26

Fターム (49件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030AA24 , 4K030BA27 , 4K030BA29 , 4K030BA44 , 4K030BB05 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030JA01 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AA20 , 5F045AB04 , 5F045AB07 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF14 , 5F045BB16 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EK06 , 5F045HA22 , 5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BC02 , 5F058BF62 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置の製造方法及び成膜システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-006206 出願人：東京エレクトロン株式会社
磁気記録媒体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-267528 出願人：TDK株式会社
成膜方法、成膜装置、および記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-192914 出願人：東京エレクトロン株式会社

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