光検知式水素ガスセンサ

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-055934
公開番号（公開出願番号）：特開2017-172993
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：

【課題】本発明は、検知素子の水素ガスに対する防爆化を図りながらも、高精度に水素ガスを検知することが可能な光検知式水素ガスセンサを提供する。【解決手段】本発明にかかる光検知式水素ガスセンサは、少なくとも、光源、偏光子、検知素子、磁場印加機構および光検出器を有している。そして、積層体で発生する多重反射によって磁気光学信号が増強する条件で光源からの光を積層体に照射し、磁場印加機構によって積層体の磁化を制御する。このとき、水素ガスとの反応に伴う水素ガス検知層の光学物性の変化を、積層体からの反射光の変化である磁気光学信号として光検出器により検出することで水素ガスを検知する。よって、水素ガスが実際に接触する水素ガス検知層に電気印加を必要としないため、水素ガスに対する検知素子自体の防爆化を図ることが可能となる。さらに、前記水素ガス検知層の厚さを変えることで、検知する水素ガスの濃度に適した検知素子を構成することが可能となり、安全かつ高性能の光検知式水素ガスセンサを提供できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくとも、光源、水素ガス検知層と金属磁性層と誘電体光干渉層と金属反射層とを含む積層体で構成された検知素子、磁場印加機構および光検出器を有し、前記光源から出射された光が前記検知素子に入射したときに、前記積層体で発生する多重反射によって入射光の磁気光学信号が増強する条件で前記光源から光を照射し、前記磁場印加機構によって前記積層体の磁化を制御することにより、前記水素ガス検知層の水素ガスとの反応による光学物性の変化に伴う前記積層体からの反射光の変化である磁気光学信号を前記光検出器によって検出することにより、水素ガスを検知することを特徴とする光検知式水素ガスセンサ。

IPC (1件)：

G01N 21/21

FI (1件)：

G01N21/21 A

Fターム (14件)：

2G059AA01 , 2G059BB01 , 2G059CC02 , 2G059DD15 , 2G059EE01 , 2G059EE02 , 2G059EE05 , 2G059GG01 , 2G059HH02 , 2G059JJ13 , 2G059JJ17 , 2G059JJ19 , 2G059JJ22 , 2G059KK01

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平3-067218
ガスセンサ用薄膜、ガスセンサ用素子体およびガスセンサ用素子体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-200971 出願人：学校法人東京理科大学, 山口県
光式水素ガス及び炭化水素ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-309754 出願人：日立電線株式会社

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