特許
J-GLOBAL ID：201703016783911746

半導体製造装置

発明者：
須黒 恭一

須黒 恭一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-050086
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168524
出願日： 2016年03月14日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】半導体基板のダメージを抑制することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置1は、反応室10内に収容された基板W上にIII族元素含有ガスを供給する第1供給部30を備える。第2供給部40は、基板W上にV族元素含有ガスを供給する。導波部50は、V族元素含有ガスに該マイクロ波を照射する。フィルタ60を、ステージ20とラジカル生成室15との間に設ける。フィルタ60により、上下方向に直進しようとするイオンを除去しつつ、ラジカルを基板W側へ通過させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応室内に収容された基板上にIII族元素含有ガスを供給する第1供給部と、 前記基板上にV族元素含有ガスを供給する第2供給部と、 前記V族元素含有ガスに該マイクロ波を照射する導波部と、を備えた半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  C23C 16/34
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  C23C16/34
Fターム (38件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA18 ,  4K030KA30 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AA09 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE01 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EF11 ,  5F045EH03 ,  5F045EK07 ,  5F045EK11
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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