半導体複合装置、光プリントヘッド及び画像形成装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：田辺恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-212644
公開番号（公開出願番号）：特開2017-084992
出願日： 2015年10月29日
公開日（公表日）： 2017年05月18日
要約：

【課題】従来と比してより安定して動作する半導体複合装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置を実現する。【解決手段】3端子発光素子2のゲート層27上の、絶縁膜41に形成されたゲートコンタクト開口43から露出する部分に、絶縁膜41に接触しないようにゲートコンタクト電極13を形成するようにした。これにより、ゲートコンタクト電極13と絶縁膜41との接触部分が存在しなくなり、ゲートコンタクト電極13とゲート層27とを反応させる為の熱処理時に激しく反応してしまう部分であったゲートコンタクト電極13と絶縁膜41のゲートコンタクト開口43との境界部分も存在しなくなる為、ゲートコンタクト電極13を形成する際の異常な反応を防ぐことができる。かくして、従来と比べて、より安定して動作することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

pnpn構造を含みアノード端子、カソード端子及びゲート端子を有する3端子発光素子を備える半導体複合装置であって、前記3端子発光素子は、前記pnpn構造を形成する複数層の1つであるゲート層と、前記ゲート層を覆う絶縁膜と、前記ゲート層上の、前記絶縁膜に形成されたゲートコンタクト開口から露出する部分に形成されたゲートコンタクト電極とを有し、前記ゲートコンタクト電極は、前記絶縁膜に接触しないように、前記ゲート層上の前記ゲートコンタクト開口から露出する部分に形成されていることを特徴とする半導体複合装置。

IPC (5件)：

H01L 33/36 , B41J 2/447 , B41J 2/45 , H01L 33/00 , H04N 1/036

FI (5件)：

H01L33/00 200 , B41J2/447 101A , B41J2/45 , H01L33/00 L , H04N1/036 A

Fターム (45件)：

2C162AE09 , 2C162AE21 , 2C162AE28 , 2C162AE40 , 2C162AE47 , 2C162AH34 , 2C162AH38 , 2C162AH40 , 2C162AH72 , 2C162FA04 , 2C162FA17 , 2C162FA23 , 2C162FA25 , 2C162FA44 , 2C162FA50 , 2C162FA58 , 5C051AA02 , 5C051CA08 , 5C051DB02 , 5C051DB04 , 5C051DB05 , 5C051DB06 , 5C051DB18 , 5C051DC02 , 5C051DC07 , 5C051EA01 , 5F142BA32 , 5F142CB22 , 5F142CD02 , 5F142DB02 , 5F142DB12 , 5F142EA14 , 5F142EA31 , 5F241AA41 , 5F241CA04 , 5F241CA07 , 5F241CA36 , 5F241CA65 , 5F241CA66 , 5F241CA74 , 5F241CA93 , 5F241CB11 , 5F241CB22 , 5F241CB33 , 5F241FF13

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体複合装置、この製造方法、光プリントヘッド及び画像形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-202379 出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-115451 出願人：ソニー株式会社
半導体素子の電極形成方法およびその構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-142673 出願人：日本電気株式会社

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