特許
J-GLOBAL ID：201703017295735200
レジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093394
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222061
特許番号：特許第6132471号
出願日： 2012年04月16日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (A)質量平均分子量が10000以下であって、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する下記式(b1)又は(b2)で表される化合物と、(C)活性光線又は放射線の照射により塩基性が弱まる塩基性化合物とを含有し、置換又は非置換のフルオレセインのノボラック樹脂、置換又は非置換のナフトールフタレインのノボラック樹脂、及びジヒドロキシナフタレンのノボラック樹脂を含有しないレジスト組成物を、線幅30〜200nm、溝の線幅に対する溝の深さの比(溝の深さ/溝幅)であるアスペクト比1.5〜5.0の段差を有する基板上に塗布してレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜を露光する露光工程と、
露光後のレジスト膜を、現像液により現像する現像工程と、を含むレジストパターン形成方法であって、
前記(A)樹脂が、脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される下記式(a4-1)で表される構成単位(a4)を含む、レジストパターン形成方法。
[式(a4-1)中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Xa8は脂肪族炭化水素基である。]
[式(b1)、及び(b2)において、Rb1〜Rb3及びRb5〜Rb6は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又はアルキル基を表す。式(b1)におけるRb1〜Rb3のうち、何れか2つが相互に結合して式中のイオウ原子(S+)と共に環を形成してもよい。Rb4は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基又はアルケニル基を表す。Rb1〜Rb3のうち少なくとも1つはアリール基を表し、Rb5〜Rb6のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]
IPC (5件)：
G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, C08F 220/28 ( 200 6.01)
, C08F 220/12 ( 200 6.01)
, C08F 2/50 ( 200 6.01)
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, C08F 220/28
, C08F 220/12
, C08F 2/50
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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