特許

J-GLOBAL ID：201703017605829390

トランジスタ

発明者： 秋元 健吾 ,  津吹 将志
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-220437
公開番号（公開出願番号）：特開2017-073556
出願日： 2016年11月11日
公開日（公表日）： 2017年04月13日
要約：

【課題】酸化物半導体膜、及びこれを有する特性が改善された半導体装置を提供する。【解決手段】In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体層113に形成されたチャネルを有するトランジスタであって、前記トランジスタのソース電極117a及びドレイン電極117bは、それぞれ、インジウムと、錫とを有する透明導電膜、珪素と、インジウムと、錫とを有する透明導電膜、インジウムと、亜鉛とを有する透明導電膜、亜鉛を有する透明導電膜のうち、いずれかを有するものとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層に形成されたチャネルを有するトランジスタであって、 前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極は、それぞれ、透明導電膜を有することを特徴とするトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R

Fターム (75件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD12 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD81 ,  4M104EE02 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104GG08 ,  4M104HH03 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F110AA03 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HM03 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262991   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-284538   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258272   出願人：キヤノン株式会社