特許

J-GLOBAL ID：201703017757268645

核形成の抑制を伴うタングステンによるフィーチャ充填

発明者： チャンドラシェカー・アナンド ,  ジェン・エスター ,  フマユン・ラシーナ ,  ダネク・ミハル ,  ガオ・ジュウェン ,  ワン・ドーチィ
出願人/特許権者： ノベラス・システムズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-503376
特許番号：特許第6195898号
出願日： 2013年03月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 方法であって、 1つ以上のフィーチャ開口およびフィーチャ内部を有するフィーチャを含む基板を準備することであって、前記フィーチャは穴、ビア、又は凹部である、ことと、 フィーチャ軸に沿って選択的抑制プロファイルが得られるように、前記フィーチャ内でのタングステン核形成を選択的に抑制することであって、前記フィーチャ内の材料のエッチングを伴うことなく、選択的抑制を実施し、前記選択的抑制プロファイルは、前記フィーチャの表面の一部においてその後のタングステン核形成を抑制する一方で、前記フィーチャの表面の残りの部分におけるタングステン核形成を前記フィーチャの表面の前記一部よりも抑制しないことを表す、ことと、 前記選択的抑制プロファイルに従って、前記フィーチャ内にタングステンを選択的に堆積させることと、を含む方法。

IPC (5件)：

C23C 16/04 ( 200 6.01) ,  C23C 16/14 ( 200 6.01) ,  C23C 16/02 ( 200 6.01) ,  C23C 16/50 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C23C 16/04 ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 金属膜の選択的形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-172480   出願人：株式会社東芝
• 高アスペクト比のフィーチャーへのタングステン堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-292610   出願人：ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド
• 半導体素子及びその形成方法、半導体クラスタ装備
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-009582   出願人：三星電子株式会社