高アスペクト比のフィーチャーへのタングステン堆積方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-292610
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035366
出願日： 2009年12月24日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。【解決手段】部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。ある実施形態においては、当該方法は高アスペクト比のフィーチャーにタングステン含有材料を部分的に充填する工程とフィーチャー空洞から部分的に充填された材料を選択的に除去する工程とを有する。これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

部分的に製造された半導体基板に設けられた高アスペクト比のフィーチャーを充填する方法であって、タングステン含有前駆体および還元剤をプロセスチャンバーに導入する工程と、前記タングステン含有前駆体と前記還元剤との間の化学気相成長反応によって前記部分的に製造された半導体基板にタングステン含有材料の層を堆積し、前記堆積された堆積層で高アスペクト比の前記フィーチャーを部分的に充填する堆積工程と、開口付近の前記堆積層の平均厚の減少が、前記フィーチャー内部における前記堆積層の平均厚の減少よりも大きくなるように前記堆積層の一部を選択的に除去して、エッチングされた層を形成する選択的除去工程とを備える方法。

IPC (8件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/306 , C23C 16/08 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/285 , H01L 21/28

FI (6件)：

H01L21/90 D , H01L21/302 105B , C23C16/08 , H01L21/88 M , H01L21/285 C , H01L21/28 301R

Fターム (56件)：

4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA11 , 4K030BA20 , 4K030BA35 , 4K030CA04 , 4K030CA11 , 4K030FA10 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104BB18 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD64 , 4M104DD75 , 4M104FF22 , 4M104HH13 , 4M104HH14 , 5F004AA09 , 5F004BA03 , 5F004BB18 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DB10 , 5F004EB01 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN11 , 5F033PP02 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP11 , 5F033PP14 , 5F033PP24 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ98 , 5F033WW01 , 5F033WW10 , 5F033XX02 , 5F033XX04

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-187354 出願人：三菱電機株式会社
配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-144495 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-087810 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る