特許
J-GLOBAL ID：201703018430161436
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-034696
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152579
出願日： 2016年02月25日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：
【課題】寄生トランジスタの動作を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、第1導電形の第3半導体領域と、第2導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、を有する。前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域の上に設けられている。前記第2半導体領域は、第1部分と、第2部分と、を有する。前記第2部分の下端は、前記第1部分の下端よりも下方に位置する。前記第3半導体領域は、前記第1部分の上に設けられている。前記第4半導体領域は、前記第2部分の上に設けられている。前記第4半導体領域の第2導電形のキャリア濃度は、前記第2半導体領域よりも高い。前記ゲート絶縁層は、前記第2半導体領域と前記ゲート電極との間に設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電形の第1半導体領域と、
第1部分と、
下端が、前記第1部分の下端よりも下方に位置する第2部分と、
を有し、前記第1半導体領域の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
前記第1部分の上に設けられた第1導電形の第3半導体領域と、
前記第2部分の上に設けられ、前記第2半導体領域よりも第2導電形のキャリア濃度が高い第2導電形の第4半導体領域と、
ゲート電極と、
前記第2半導体領域と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、
を備えた半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 29/06
H01L29/78 652C
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 652B
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 652H
, H01L29/06 301D
, H01L29/06 301V
