特許
J-GLOBAL ID：200903051446264930

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

発明者：
鳥居 克行

鳥居 克行 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-285628
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057028
出願日： 2003年08月04日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】IGBTのラッチアップを容易に抑制することが困難であった。【解決手段】トレンチ5を有する半導体基板1には、P+型コレクタ領域8とN+型バッファ領域9と第1及び第2の領域10a、10bから成るN型ベース領域10と第1及び第2の部分11a、11bから成るP型ベース領域11とエミッタ領域12とが形成されている。トレンチ5の中にゲート絶縁膜6とゲート電極4とが設けられている。エミッタ電極2はエミッタ領域12とP型ベース領域11の第2の部分11bとに接続されている。P型ベース領域11の第1の部分11aはトレンチ5よりも浅く形成され、第2の部分11bはトレンチ5よりも深く形成されている。N型ベース領域10はN-型の第1の領域10aとこれよりも不純物濃度の高いN型の第2の領域10bとから成る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一方及び他方の主面を有し且つ前記一方の主面にトレンチを有する半導体基板と、前記一方の主面に配置されたエミッタ電極と、前記他方の主面に配置されたコレクタ電極と、前記トレンチの壁面に配置された絶縁膜と、前記トレンチの中に配置されたゲート電極とを有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、 前記半導体基板が、前記他方の主面に露出するように配置された第1導電型のコレクタ領域と、前記コレクタ領域に隣接配置された第2導電型ベース領域と、前記第2導電型ベース領域に隣接配置された第1導電型ベース領域と、前記第1導電型ベース領域に隣接配置され且つ前記一方の主面に露出している第2導電型のエミッタ領域とを有し、 前記トレンチは、前記一方の主面から前記第2導電型ベース領域に至る深さを有し、 前記トレンチの壁面に前記エミッタ領域、前記第1導電型ベース領域及び前記第2導電型ベース領域が露出し、 前記第1導電型ベース領域が前記トレンチの壁面に隣接配置され且つ前記トレンチよりも浅く形成された第1の部分と、前記第1の部分に隣接配置され且つ前記トレンチよりも深く形成された第2の部分とを有し、 前記エミッタ電極が前記エミッタ領域と前記第1導電型ベース領域の前記第2の部分とに接続され、 前記コレクタ電極が前記コレクタ領域に接続されていることを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
IPC (1件)：
H01L29/78
FI (4件)：
H01L29/78 652D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 655D
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (14件)
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