特許
J-GLOBAL ID:201703018443555182
表示装置
発明者:
,
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出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-183719
公開番号(公開出願番号):特開2016-224467
特許番号:特許第6082155号
出願日: 2016年09月21日
公開日(公表日): 2016年12月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1のチャネル形成領域及び第2のチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記第1のチャネル形成領域と重なる第1のゲート電極と、
前記第2のチャネル形成領域と重なる第2のゲート電極と、
前記半導体層上方、前記第1のゲート電極上方及び前記第2のゲート電極上方の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上方の第1の接続配線と、
前記第1の絶縁膜上方の第2の接続配線と、
前記第1の接続配線と電気的に接続される画素電極と、
前記画素電極上方の有機発光層と、
前記有機発光層上方の陰極と、を有し、
前記第1の接続配線と前記第2の接続配線とは、前記第1のチャネル形成領域と前記第2のチャネル形成領域とを介して互いに導通することが可能であり、
前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極とは、互いに異なる導電層に設けられていることを特徴とする表示装置。
IPC (6件):
G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 27/32 ( 200 6.01)
, G09G 3/30 ( 200 6.01)
, G09G 3/20 ( 200 6.01)
, G09G 3/3241 ( 201 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
FI (8件):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
, G09G 3/30 J
, G09G 3/20 670 J
, G09G 3/324
, G09G 3/20 624 B
, G09G 3/20 611 H
, H05B 33/14 A
引用特許:
出願人引用 (6件)
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EL表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-281790
出願人:三洋電機株式会社
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エレクトロルミネッセンス表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-031388
出願人:三洋電機株式会社
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表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-307126
出願人:三洋電機株式会社
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薄膜トランジスタ及び表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-283440
出願人:三洋電機株式会社
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D/A変換回路および半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-132003
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-177455
出願人:セイコーエプソン株式会社
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審査官引用 (6件)
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EL表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-281790
出願人:三洋電機株式会社
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エレクトロルミネッセンス表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-031388
出願人:三洋電機株式会社
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表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-307126
出願人:三洋電機株式会社
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薄膜トランジスタ及び表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-283440
出願人:三洋電機株式会社
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D/A変換回路および半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-132003
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-177455
出願人:セイコーエプソン株式会社
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