半導体デバイスの電極構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：平木祐輔 , 関谷三男 , 渡辺敏章 , 松丸秀和 , 今村健一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-556827
特許番号：特許第6066933号
出願日： 2012年02月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 III-N材料構造の表面上に設けられた厚さを有する電極画定層であって、1層の電極画定層に複数の段を含む側壁を有する凹部を有し、前記III-N材料構造から遠い凹部の一部は、第1の幅を有し、前記III-N材料構造に近い凹部の一部は、第2の幅を有し、前記複数の段は、それぞれ、前記III-N材料構造の表面に実質的に平行な複数の第1の表面と、前記III-N材料構造の表面に実質的に複数の垂直な第2の表面とを有し、前記第1の幅が前記第2の幅より大きい電極画定層と、前記凹部内に設けられ、前記側壁の上に拡張部分を有し、前記電極画定層の一部が前記拡張部分と前記III-N材料構造との間に前記複数の第1の表面と前記複数の第2の表面とを沿うように設けられた電極とを備え、前記側壁は、前記III-N材料構造の表面に対して約40°以下の有効角を形成するIII-N半導体デバイス。

IPC (10件)：

H01L 29/41 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 29/423 ( 200 6.01) , H01L 29/49 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/44 Y , H01L 29/80 F , H01L 29/80 H , H01L 21/28 301 B , H01L 29/58 G , H01L 29/58 Z , H01L 21/28 L , H01L 29/06 301 F , H01L 29/78 301 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-077758 出願人：サンケン電気株式会社
コンタクト形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-301769 出願人：ソニー株式会社
特開平4-348516

全件表示

前のページに戻る