半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-077758
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243848
出願日： 2007年03月23日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】窒化物系化合物半導体層の上に絶縁膜を介してフィールドプレート電極を有し、それと電気的に接続され且つ窒化物系化合物半導体層とショットキー接触した電極を有する半導体装置において、高電圧動作時の抵抗値および漏れ電流を低減化する。【解決手段】窒化物系化合物半導体層4上において、徐々に厚くなる傾斜部を有する絶縁膜8と、窒化物系化合物半導体層上から絶縁膜8の傾斜部上を延伸するように設けられ、窒化物系化合物半導体層4にショットキー接触する電極9とを有し、絶縁膜8の底面における電極9が設けられた側の端点Aと、絶縁膜8の傾斜部上に形成された電極9の底面における端点Bとを結ぶ仮想線と窒化物系化合物半導体層4の上面との間の角度α1が1度以上40度以下である半導体装置。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体層上において、徐々に厚くなる傾斜部を有する絶縁膜と、前記窒化物系化合物半導体層上から前記絶縁膜の傾斜部上を延伸するように設けられた電極とを有し、前記絶縁膜の底面における前記電極が設けられた側の端点と、前記絶縁膜の傾斜部上に形成された前記電極の底面における端点とを結ぶ仮想線と前記窒化物系化合物半導体層の上面との間の角度が1度以上40度以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/41 , H01L 29/423 , H01L 29/06

FI (7件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 Q , H01L29/78 301B , H01L21/28 301B , H01L29/44 Y , H01L29/58 Z , H01L29/06 301F

Fターム (27件)：

4M104AA04 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104FF10 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR11 , 5F102GV07 , 5F102HC15 , 5F140BA06 , 5F140BD18 , 5F140BF44 , 5F140CD09

引用特許：

出願人引用 (3件)

電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-327654 出願人：株式会社東芝
電界効果トランジスタ
公報種別：再公表公報出願番号：JP2005002712 出願人：日本電気株式会社
薄膜SOI装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-337036 出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン

審査官引用 (5件)

電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-042512 出願人：NEC化合物デバイス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-159175 出願人：富士電機株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-255603 出願人：古河電気工業株式会社

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