特許
J-GLOBAL ID：201703018871838431
周期表第13族金属窒化物半導体結晶
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-052188
公開番号（公開出願番号）：特開2014-177376
特許番号：特許第6089821号
出願日： 2013年03月14日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】主面がM面、{20-21}面、{20-2-1}面、{30-31}面、{30-3-1}面、{10-11}面、{10-1-1}面、{10-12}面または{10-1-2}面であり、
前記主面における基底面積層欠陥の最大幅が800μm以下であり、
前記主面は、幅が5倍以上異なる基底面積層欠陥を含む、
ことを特徴とするGaN基板。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
C30B 29/38 D
, C23C 16/34
, H01L 21/205
