特許

J-GLOBAL ID：201303086521159570

周期表第13族金属窒化物結晶

発明者： 長尾 哲 ,  江夏 悠貴 ,  久保 秀一 ,  藤戸 健史
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (6件)： 川口 嘉之 ,  高田 大輔 ,  佐貫 伸一 ,  丹羽 武司 ,  香坂 薫 ,  下田 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-081735
公開番号（公開出願番号）：特開2013-209260
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

【課題】非極性面または半極性面を主面として成長した周期表第13族金属窒化物結晶は、積層欠陥が多く存在する。このような積層欠陥の発生を抑制した周期表第13族金属窒化物結晶を提供することを課題とする。【解決手段】結晶の(100)面X線逆格子マッピングにより得られる等強度線図から導き出される最大強度を含むQx方向の強度プロファイルにおいて、ピーク強度値に対して1/300強度値を示すQx幅が6×10-4rlu以下である周期表第13族金属窒化物結晶により課題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非極性面または半極性面を主面とする周期表第13族金属窒化物下地基板上に成長させた周期表第13族金属窒化物結晶であって、 該周期表第13族金属窒化物結晶の(100)面X線逆格子マッピングにより得られる等強度線図から導き出される最大強度を含むQx方向の強度プロファイルにおいて、ピーク強度値に対して1/300強度値を示すQx幅が6×10-4rlu以下である、周期表第13族金属窒化物結晶。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205

Fターム (22件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB03 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077GA02 ,  4G077GA06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF04 ,  5F045DQ08 ,  5F045GB11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法ならびに窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-297173   出願人：三菱化学株式会社
• 太陽電池パネル端部用粘着シール材、太陽電池パネルの端部の封止構造、封止方法、太陽電池モジュールおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-239913   出願人：日東電工株式会社
• ミスカット基板上に成長した平面型非極性M平面III族窒化物薄膜
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-520332   出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
• 半極性窒化物単結晶薄膜の成長方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-264173   出願人：三星電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Dislocation-Free m-plane InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on m-Plane GaN Single Crystals