特許
J-GLOBAL ID：201703019047202117

結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置

発明者：
織田 真也

織田 真也 について

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徳田 梨絵

徳田 梨絵 について

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谷川 幸登

谷川 幸登 について

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人羅 俊実

人羅 俊実 について


出願人/特許権者：
株式会社FLOSFIA

株式会社FLOSFIA について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-118587
公開番号（公開出願番号）：特開2017-005147
出願日： 2015年06月11日
公開日（公表日）： 2017年01月05日
要約：
【課題】水素濃度が低減され、半導体特性などに優れた結晶性半導体膜を提供する。【解決手段】コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜の水素濃度を成膜時および所望により成膜後に低減させて、膜の一部または全部における水素濃度が2×1017(atoms/cm3)以下である結晶性半導体膜を提供する。また、このような水素濃度が2×1017(atoms/cm3)以下である結晶性半導体膜をダイオードやトランジスタなどの半導体装置に用いる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜の一部または全部における水素濃度が2×1017(atoms/cm3)以下であることを特徴とする結晶性半導体膜。
IPC (4件)：
H01L 21/365 ,  H01L 21/20 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/368
FI (4件)：
H01L21/365 ,  H01L21/20 ,  C23C16/40 ,  H01L21/368 Z
Fターム (44件)：
4K030AA02 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045DP03 ,  5F045DP07 ,  5F045EE02 ,  5F045HA16 ,  5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053HH10 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053RR20 ,  5F152LL03 ,  5F152LM08 ,  5F152MM02 ,  5F152MM03 ,  5F152MM04 ,  5F152MM05 ,  5F152MM08 ,  5F152MM09 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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