半導体素子、半導体装置およびそれらの作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-023178
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179296
出願日： 2013年02月08日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：

【課題】酸化物半導体膜中にチャネルが形成されるトランジスタにおいて、微細な構造であっても良好な電気特性を有する構造を提供すると共に、当該トランジスタ備える半導体装置の効率的な作製方法、および当該半導体装置を備える電子機器を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜の端部がソースとドレイン間を横切らす、酸化物半導体膜の側端部が金属膜または金属酸化膜で覆われる構造とする。また、ソース電極およびドレイン電極として機能する導電膜の少なくとも一方を2層構造とし、2層構造の導電膜の一方を容量素子の形成に用い、他方をソース-ドレイン間抵抗の低減に用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に設けられ、第1の不純物添加領域、前記第1の不純物添加領域を囲むチャネル形成領域、前記チャネル形成領域を囲む第2の不純物添加領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に設けられ、前記第1の不純物領域と電気的に接続された島状のソース電極と、前記チャネル形成領域と重なり、途切れなく前記ソース電極を囲むゲート電極と、前記チャネル形成領域と前記ゲート電極間に介在するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の側面を少なくとも覆う保護絶縁膜と、前記酸化物半導体膜の側端部を覆って途切れなく前記ゲート電極を囲むドレイン電極と、前記ソース電極および前記第1の不純物添加領域と電気的に接続された第1の接続電極と、前記ドレイン電極および前記第2の不純物添加領域と電気的に接続された第2の接続電極を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (10件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 23/532 , H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 29/41 , H01L 29/417 , H01L 23/522 , G09F 9/30

FI (11件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616T , H01L29/78 619A , H01L29/78 612C , H01L21/28 301B , H01L21/88 R , H01L29/44 L , H01L29/50 M , H01L21/90 D , H01L21/90 V , G09F9/30 338

Fターム (191件)：

4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF02 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104FF26 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5C094AA21 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH03 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033JJ38 , 5F033KK03 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM05 , 5F033MM21 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS08 , 5F033SS10 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033XX08 , 5F033XX26 , 5F033XX33 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG23 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110HM17 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN74 , 5F110PP10 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタ及び半導体デバイスの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-116965 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-229412 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ装置、表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-270912 出願人：三菱電機株式会社

全件表示

前のページに戻る