特許
J-GLOBAL ID:201703019159353967
放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柴山 健一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-219211
公開番号(公開出願番号):特開2017-090186
出願日: 2015年11月09日
公開日(公表日): 2017年05月25日
要約:
【課題】量産性に優れた放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法を提供すること。【解決手段】放射線検出器1Aは、電荷収集電極13を有するパネル10と、パネル10に対して一方の側に配置され、ペロブスカイト構造体粒子4p及びバインダ樹脂4rを含む放射線吸収層4と、放射線吸収層4に対して一方の側に配置され、電荷収集電極13との間に電位差が生じるようにバイアス電圧が印加される電圧印加電極6と、を備えている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電荷収集電極を有する基板と、
前記基板に対して一方の側に配置され、ペロブスカイト構造体粒子及びバインダ樹脂を含む放射線吸収層と、
前記放射線吸収層に対して前記一方の側に配置され、前記電荷収集電極との間に電位差が生じるようにバイアス電圧が印加される電圧印加電極と、を備える、放射線検出器。
IPC (3件):
G01T 1/24
, H01L 27/146
, H01L 27/144
FI (3件):
G01T1/24
, H01L27/14 C
, H01L27/14 K
Fターム (17件):
2G188AA03
, 2G188AA25
, 2G188BB02
, 2G188CC28
, 2G188CC34
, 2G188DD05
, 2G188DD44
, 2G188FF12
, 4M118BA05
, 4M118CA14
, 4M118CB14
, 4M118CB20
, 4M118FB03
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118FB23
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
積層薄膜
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-062864
出願人:ティーディーケイ株式会社
-
光導電層の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-200202
出願人:富士フイルム株式会社
引用文献:
前のページに戻る