特許
J-GLOBAL ID：201703019216290586
中性点クランプ式電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
蔵田 昌俊
, 野河 信久
, 峰 隆司
, 河野 直樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-014162
公開番号（公開出願番号）：特開2014-147213
特許番号：特許第6184107号
出願日： 2013年01月29日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 3つの電位を有した直流電源と、
前記直流電源により生じる直流電圧の正電位と負電位との間に、正電位から負電位に向かって直列接続する第1乃至第4の半導体スイッチと、
前記直流電源の中性点電位と、第1の半導体スイッチと第2の半導体スイッチとの間の接続点との間に接続され、前記中性点電位をアノードとする第1のクランプダイオードと、
前記中性点電位と、第3の半導体スイッチと第4の半導体スイッチとの間の接続点との間に接続され、前記中性点電位をカソードとする第2のクランプダイオードと、
前記第2の半導体スイッチと前記第3の半導体スイッチとの間に接続される出力端子と、
前記第2の半導体スイッチの正極端子と、負極端子との間に、前記第2の半導体スイッチと並列接続するように設けられ、前記第2の半導体スイッチがオフした後に、前記第2の半導体スイッチに低電圧を印加する第1の低電圧印加回路と、
前記第3の半導体スイッチの正極端子と、負極端子との間に、前記第3の半導体スイッチと並列接続するように設けられ、前記第3の半導体スイッチがオフした後に、前記第3の半導体スイッチに低電圧を印加する第2の低電圧印加回路と
を具備し、
前記第1及び第4の半導体スイッチは、
逆導通性能を有し、高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子と、
前記主素子に比べ耐圧が低い電圧駆動型スイッチング素子である補助素子と、
前記主素子の負極と前記補助素子の負極とを接続して前記主素子の正極を正極端子とし、前記補助素子の正極を負極端子とし、前記正極端子と前記負極端子間に前記負極端子から前記正極端子に向かう方向が順方向となるように接続し、前記主素子と同等の耐圧を有する高速還流ダイオードとを備え、
前記第2及び第3の半導体スイッチは、高速還流ダイオードを備えないことを特徴とする中性点クランプ式電力変換装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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