特許
J-GLOBAL ID：200903093446901900

半導体スイッチおよび当該半導体スイッチを適用した電力変換装置

発明者：
餅川 宏

餅川 宏 について

, 
小山 建夫

小山 建夫 について

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葛巻 淳彦

葛巻 淳彦 について

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津田 純一

津田 純一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 波多野 久 ,  関口 俊三 ,  猿渡 章雄 ,  河村 修 ,  山田 毅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-026751
公開番号（公開出願番号）：特開2008-193839
出願日： 2007年02月06日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】主回路スイッチング素子に還流ダイオードが逆並列接続された電力変換回路において、損失を更に低減し回路構成の単純化を図った半導体スイッチを提供する。【解決手段】半導体スイッチ1Aは、逆導通性能を有し高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子2と、主素子2に比べ耐圧が低い電圧駆動型スイッチング素子である補助素子3と、主素子2と同等の耐圧を有する高速還流ダイオード4とを備え、主素子2の負極と補助素子3の負極とを接続して主素子2の正極を正極端子7とし、補助素子3の正極を負極端子8とし、正極端子7と負極端子8との間に負極端子8から正極端子7に向かう方向が順方向となるように高速還流ダイオード4を並列接続して構成したことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
逆導通性能を有し、高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子と、 前記主素子に比べ耐圧が低い電圧駆動型スイッチング素子である補助素子と、 前記主素子と同等の耐圧を有する高速還流ダイオードとを備え、 前記主素子の負極と前記補助素子の負極とを接続して前記主素子の正極を正極端子とし、前記補助素子の正極を負極端子とし、前記正極端子と前記負極端子間に前記負極端子から前記正極端子に向かう方向が順方向となるように高速還流ダイオードを並列接続して構成したことを特徴とする半導体スイッチ。
IPC (2件)：
H02M 7/538 ,  H02M 1/08
FI (2件)：
H02M7/5387 Z ,  H02M1/08 341A
Fターム (17件)：
5H007AA03 ,  5H007CA01 ,  5H007CA02 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC07 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H740AA04 ,  5H740AA05 ,  5H740BA11 ,  5H740BA12 ,  5H740BB01 ,  5H740BB05 ,  5H740PP01 ,  5H740PP02 ,  5H740PP03
引用特許：
出願人引用 (19件)
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審査官引用 (18件)
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