特許

J-GLOBAL ID：201703019418358646

アルコールの選択的還元および保護による選択的堆積

発明者： リウ フェン キュー ,  マー ポール エフ ,  アイ フア ,  ルー ジアン ,  チャン メイ ,  トンプソン デイヴィッド
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (9件)： 田中 伸一郎 ,  弟子丸 健 ,  ▲吉▼田 和彦 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩 ,  近藤 直樹 ,  工藤 嘉晃
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-511206
公開番号（公開出願番号）：特表2017-528597
出願日： 2015年08月26日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：

誘電体表面に比べて金属表面上へ選択的に金属を選択的に堆積させる方法。方法は、金属酸化物表面を金属表面に還元することと、誘電体表面上の堆積を最小にするために誘電体表面を保護することとを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜を堆積させる方法であって、 金属酸化物を含む第1の基板表面および誘電体を含む第2の基板表面を備える基板を提供するステップと、 前記基板をアルコールに露出させて、前記金属酸化物を第1の金属に還元し、アルコキシ末端誘電体表面を形成するステップと、 前記基板を1つまたは複数の堆積ガスに露出させて、前記アルコキシ末端誘電体表面より前記第1の金属上に第2の金属膜を選択的に堆積させるステップとを含む方法。

IPC (4件)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (5件)：

C23C16/02 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 A

Fターム (23件)：

4K030AA11 ,  4K030AA24 ,  4K030BA01 ,  4K030BA05 ,  4K030BA14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030GA05 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB18 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD47 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 銅表面上への選択的コバルト堆積
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-507595   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 集積回路の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-584473   出願人：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
• 集積回路のメタライゼーションスキームにおけるバリア層のボトムレス堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-235613   出願人：インテルユニフェルシタイルマイクロ-エレクトロニカセントリューム(イーエムエーセー)フェーゼットヴェー, エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.