銅表面上への選択的コバルト堆積

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-507595
公開番号（公開出願番号）：特表2011-524078
出願日： 2009年04月29日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：

本発明の実施形態は、露出誘電表面を覆う銅表面上にコバルト層を選択的に形成するプロセスを提供する。一実施形態では、前処理プロセスの間に金属銅表面を形成している間は処理チャンバー内の基板の汚染された銅表面を還元剤にさらすステップと、気相堆積プロセスの間に基板上の誘電表面を露出したままにしながら金属銅表面を覆ってまたは上にコバルトキャッピング層を選択的に形成するために基板をコバルト前駆体ガスにさらすステップと、コバルトキャッピング層および誘電表面を覆ってまたは上に誘電障壁層を堆積させるステップとを包含する、基板上の銅表面をキャッピングするための方法が、提供される。別の実施形態では、堆積-処理サイクルは、気相堆積プロセスを実行した後に後処理プロセスを実行するステップを包含し、その堆積-処理サイクルは、複数のコバルトキャッピング層を形成するために繰り返されてもよい。

請求項（抜粋）：

基板上の銅表面をキャッピングするための方法であって、汚染された銅表面および誘電表面を含む基板を処理チャンバー内に位置決めするステップと、前処理プロセスの間に金属銅表面を形成している間に前記汚染された銅表面を還元剤にさらすステップと、気相堆積プロセスの間に前記誘電表面を露出したままにしながら前記金属銅表面上にコバルトキャッピング層を選択的に形成するために前記基板をコバルト前駆体ガスにさらすステップと、前記コバルトキャッピング層および前記誘電表面の上に誘電障壁層を堆積させるステップとを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , C23C 16/18 , H01L 21/285

FI (3件)：

H01L21/88 R , C23C16/18 , H01L21/285 C

Fターム (62件)：

4K030AA11 , 4K030AA12 , 4K030AA17 , 4K030BA05 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104DD23 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD47 , 4M104DD77 , 4M104DD81 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104HH05 , 4M104HH12 , 5F033GG03 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH30 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH36 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033PP07 , 5F033PP14 , 5F033PP33 , 5F033QQ48 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX10 , 5F033XX14

引用特許：

審査官引用 (7件)

成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-308529 出願人：東京エレクトロン株式会社
金属堆積のために基板表面を設計するためのプロセスおよび統合システム
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-526621 出願人：ラムリサーチコーポレーション
コバルト含有材料を形成するプロセス
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-505599 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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