特許

J-GLOBAL ID：200903063069084700

集積回路のメタライゼーションスキームにおけるバリア層のボトムレス堆積方法

発明者： サッタ アレッサンドラ ,  マエクス カレン ,  エレルス カイ-エリク ,  サーニラ ビッレ アンテロ ,  ソイニネン ペッカ ユハ ,  ハウッカ スビ ペー.
出願人/特許権者： インテルユニフェルシタイル マイクロ-エレクトロニカ セントリューム (イーエムエーセー) フェーゼットヴェー ,  エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.
代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  舘 泰光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-235613
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078647
出願日： 2007年09月11日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：

【課題】デュアルダマシンメタライゼーションにおいて、Cu配線構造のバリア材料を絶縁層の表面上のみに選択的に形成し、接続構造部のエレクトロマイグレーションを抑制するとともに、下層導電層との接続抵抗を低減する選択的堆積方法を提供する。【解決手段】Cu層20上の絶縁層14,15をエッチングしてトレンチとビアを開孔する。ビア底部のCu層の表面10に原子層成長(ALD)ブロック層を形成する。この後、原子層成長(ALD)法を用いてTiNバリア材料26を絶縁層表面12、13に堆積する。ブロック層により、ビア底部のCu層の表面にはバリアは形成されないため、ビア底部のCuは露出した状態のままである。開口部内にCu18を充填するとCu層に直接接続することが出来る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

原子層成長プロセスを利用して層を選択的に堆積する方法であって、該方法は、 第1の絶縁性の表面及び第2の導電性の表面を備える堆積基板を準備すること、及び、 前記堆積基板を少なくとも2つの反応物流体に交互に繰り返し晒すことによって、前記第2の表面と比べて選択的に前記第1の表面に層をコーティングすることを含み、 前記第2の表面は、選択的にコーティングする前に、前記原子層成長プロセスによって堆積をブロックするよう変化する、原子層成長プロセスを利用して層を選択的に堆積する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  C23C 16/34

FI (5件)：

H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/90 A ,  H01L21/28 A ,  C23C16/34

Fターム (93件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BA48 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF18 ,  4M104FF23 ,  4M104HH01 ,  4M104HH15 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK00 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP08 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR29 ,  5F033WW00 ,  5F033XX05 ,  5F033XX09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5,904,565号明細書
  

審査官引用 (5件)

• 化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-236247   出願人：日産自動車株式会社
• 集積回路の金属層間の低抵抗コンタクトおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191112   出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 多層配線構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-341259   出願人：日本電気株式会社, ルーセントテクノロジーズインク
• バリア膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225711   出願人：日本真空技術株式会社
• 化学気相堆積チャンバ内でプラズマ前処理を用いた窒化タングステンの堆積
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-505764   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド