特許
J-GLOBAL ID：201703019489215226
結晶シリコン系太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
新宅 将人
, 吉本 力
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-111199
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229876
特許番号：特許第6114630号
出願日： 2013年05月27日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一導電型単結晶シリコン基板の一主面上に、シリコン系薄膜および透明電極層をこの順に有する光電変換部と、前記光電変換部の一主面上に第一導電層と第二導電層を有する集電極と、を備える結晶シリコン系太陽電池を製造する方法であって、
前記光電変換部を準備する光電変換部準備工程;
前記光電変換部上に第一導電層が形成される第一導電層形成工程;および
前記第一導電層上にめっき法により第二導電層が形成されるめっき工程、をこの順に有し、
前記めっき工程前に、少なくとも光電変換部上の第一導電層非形成領域に絶縁層が形成される絶縁層形成工程を有し、
前記光電変換部準備工程において、異方性エッチングにより前記一導電型単結晶シリコン基板の一主面側表面に凹凸構造Aが形成されるテクスチャ形成工程と、前記凹凸構造Aのエッチング処理を行うエッチング処理工程とがこの順に実施され、
前記凹凸構造Aは、凸部の曲率半径をr1および凹部の曲率半径r2がいずれも0.005μm未満であり、前記エッチング処理工程により、凸部の曲率半径r1および凹部の曲率半径r2がr2<r1を満たし、かつ0.01μm≦r1≦0.5μmを満たす凹凸構造Bが形成される、結晶シリコン系太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/0236 ( 200 6.01)
, H01L 31/0747 ( 201 2.01)
H01L 31/04 280
, H01L 31/06 455
