結晶太陽電池の表面クリーニング及び凹凸形成プロセス

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-501953
公開番号（公開出願番号）：特表2011-515872
出願日： 2009年03月23日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

結晶シリコン基板に表面凹凸を形成する方法が提供される。1つの実施形態では、前記方法は、結晶シリコン基板を供給する工程と、前記基板を、濡れ剤を含むアルカリ性溶液で濡らす工程と、そして約1μm〜約10μmの深さを有する構造を持つ凹凸形成表面を前記基板に形成する工程と、を含む。別の実施形態では、基板凹凸形成プロセスを実行する方法は、結晶シリコン基板を供給する工程と、前記基板をHF水溶液でプレクリーニングする工程と、前記基板を、ポリエチレングリコール(PEG)化合物を含むKOH水溶液で濡らす工程と、そして約3μm〜約8μmの深さを有する構造を持つ凹凸形成表面を前記基板に形成する工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

太陽電池基板の表面を粗くする方法であって: 結晶シリコン基板の表面を、前記結晶シリコン基板を或る時間をかけて、表面改質添加剤を含むアルカリ性溶液に浸漬することにより粗くして、形成される粗さが、約1μm〜約10μmの平均深さを有するようにする工程を含む、方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , H01L 21/306 , B08B 3/08

FI (3件)：

H01L31/04 H , H01L21/306 B , B08B3/08

Fターム (19件)：

3B201AA02 , 3B201AB02 , 3B201BB02 , 3B201BB92 , 3B201BB93 , 3B201BB96 , 3B201CA01 , 3B201CC01 , 3B201CC12 , 3B201CD42 , 3B201CD43 , 5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F151AA02 , 5F151CB21 , 5F151DA03 , 5F151GA04 , 5F151GA15 , 5F151HA03

引用特許：

審査官引用 (12件)

テクスチャー形成用エッチング液
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-181129 出願人：直江津電子工業株式会社, 信越化学工業株式会社
機能素子及びその製造方法並びにこの機能素子を用いた光ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-171838 出願人：株式会社東芝
シリコンの異方性エッチング液およびシリコンの異方性エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-056400 出願人：株式会社東芝

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