特許
J-GLOBAL ID：201303021496786225
結晶シリコン基板の表面の下処理を含む光起電セルの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
勝沼 宏仁
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 関根 毅
, 赤岡 明
, 松野 知紘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-550487
公開番号（公開出願番号）：特表2013-518425
出願日： 2011年01月26日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：
少なくとも1つの光起電セルを製造するための方法が、結晶シリコン基板(1)の表面(1a)の異方性エッチングと、前記表面(1a)の等方性エッチング処理とを連続的に含んでいる。等方性エッチング処理は、10nm〜500nmの間の範囲の制御された平均厚さを有する酸化シリコン薄膜(11)を形成することと、そのようにして形成された前記薄膜を除去することとからそれぞれなる少なくとも2つの連続的な作業を含む。基板(1)の面(1a)に酸化シリコン薄膜(11)を形成することからなる作業は、熱によって活性化される乾式酸化によって実行される。このような方法は、異方性のやり方でエッチングされた後の基板(1)の表面(1a)の表面品質の改善を可能にする。
請求項（抜粋）：
以下の連続的なステップ、すなわち
結晶シリコン基板(1)の表面(1a、1b)に異方性エッチングを施すステップと、
前記表面(1a、1b)に等方性エッチング処理を施すステップであって、この処理は酸化シリコンの形成および前記酸化シリコンの除去を含むステップと、を含む、少なくとも1つの光起電セルを製造するための方法であって、
前記表面(1)に等方性エッチング処理を施すステップは、
熱によって活性化される乾式酸化によって、前記基板(1)の前記表面(1a、1b)に2nm〜500nmの間の範囲の厚さを有する酸化シリコン薄膜(11)を形成することと、
前記酸化シリコン薄膜(11)を除去することと、からそれぞれなる2つの連続的な作業を含むことを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB21
, 5F151CB22
, 5F151CB30
, 5F151DA07
, 5F151GA04
, 5F151GA15
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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