特許
J-GLOBAL ID：201703019653146818
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-217985
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072412
特許番号：特許第6077251号
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板に設けられたボディ層と、
前記ボディ層の表層部の周囲にソース領域が配置された複数のセル領域と、
前記複数のセル領域を互いに分離している一定の幅を有し、格子状に配置された第1のトレンチと、
前記複数のセル領域の最外周に設けられた第2のトレンチと、
前記第1および第2のトレンチの内壁を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜で覆われた前記第1および第2のトレンチの内部を充填しているゲート電極と、
前記第2のトレンチの外側を取り囲んで設けられたセル外周領域と、
前記複数のセル領域、前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチの上に設けられた層間絶縁膜と、
前記格子状に配置された第1のトレンチの交点の上において前記層間絶縁膜に設けられたゲートコンタクト孔と、
前記ゲートコンタクト孔を介して前記ゲート電極と接続されたゲート配線と、
を有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/423 ( 200 6.01)
, H01L 29/49 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 652 N
, H01L 29/78 652 S
, H01L 29/78 652 F
, H01L 29/58 G
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
